從命題角度分析

以非選擇題形式命題，從元素推斷、元素周期表內(nèi)容密發(fā)，

以重要元素與化合物為載休，在元素和物質(zhì)推斷的基礎(chǔ)上：

（1） 考查原子或離子核外電子排布、價電子排布，原子中末

成對電子的確定；電子占據(jù)的最高能層符號，能層具有的

原子軌道數(shù)和電子數(shù)的確定。

(2)考查晶體的性質(zhì)、結(jié)構(gòu)，根據(jù)結(jié)構(gòu)確定化學(xué)式或配體，

解釋粒子性質(zhì)差異的原因等。

(3)考查元素第一電離能大小的比較，根據(jù)第一電離能判

斷元素的金屬性的強(qiáng)弱。

(4)考查元素電負(fù)性大小的比較，根據(jù)電負(fù)性判斷元素的

非金屬性的強(qiáng)弱及共價鍵的極性。

(5)考查物質(zhì)中化學(xué)鍵的類型：離子鍵、共價鍵，金屬鍵，配位鍵。

(6)考查常見分子中中心原子的雜化方式，以及分子的空

間構(gòu)型。

(7)有關(guān)晶胞的計(jì)算（晶體密度或晶體體積等）

總復(fù)習(xí)之物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)原因解釋

熔沸點(diǎn)原因解釋

1.鎳和苯基硼酸在催化劑作用下可以合成丙烯醇（CH2=CH-CH2OH),其相對分子質(zhì)量等于

丙醛（CH3CH2CHO),但兩者沸點(diǎn)相差較大，原因是丙烯醇可與形成分子間氫鍵，熔沸點(diǎn)高。

2.元素As與N同族。預(yù)測As的氫化物分子的立體結(jié)構(gòu)為三角錐形，其沸點(diǎn)比NH3的?低?（填“高”或“低”），其判斷理由是NH3可以形成氫鍵使沸點(diǎn)增大。

3.苯胺的晶體類型是___分子晶體____。苯胺與甲苯的相對分子質(zhì)量相近，但苯胺的熔點(diǎn)（-5.9℃）、沸點(diǎn)（184.4℃）分別高于甲苯的熔點(diǎn)（-95.0℃）、沸點(diǎn)（110.6℃），原因是苯胺可以形成氫鍵熔沸點(diǎn)高。

4.NH3、PH3、AsH3的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹H3>AsH3>PH3(填化學(xué)式，下同)，其判斷理由是NH3可以形成氫鍵熔沸點(diǎn)最高，PH3、AsH3只有分子間作用力，相對分子質(zhì)量AsH3>PH3，AsH3范德華力大，熔沸點(diǎn)較高。

5.（2016年全國Ⅱ卷）氨的沸點(diǎn)高于（填“高于”或“低于”）膦（PH3），原因是?　氨分子間可形成氫鍵；氨是___極性__分子（填“極性”或“非極性”），中心原子的軌道雜化類型為___sp3____。

6.（2020年全國Ⅱ卷）Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示，TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，自TiCl4至TiI4熔點(diǎn)依次升高，原因是TiF4為離子化合物，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為共價化合物，隨相對分子質(zhì)量的增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高。

化合物

TiF4

TiCl4

TiBr4

TiI4

熔點(diǎn)/℃

377

﹣24.12

38.3

155

7.（2016年四川卷）H2S的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的H2O的氫化物，其原因是?H2S分子間不存在氫鍵，H2O分子間存在氫鍵?。

8.乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但相對分子質(zhì)量相近，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是乙二胺可以形成氫鍵沸點(diǎn)高，三甲胺不能形成氫鍵，沸點(diǎn)低。

9.（2017年全國Ⅰ卷）K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是K原子半徑較大且價電子數(shù)較少，金屬鍵較弱。

10.（2017年全國Ⅲ卷）在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)（CO2+3H2=CH3OH+H2O）所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)镠2O>CH3OH>CO2>H2，原因是_H2O與CH3OH均為極性分子，H2O中氫鍵比甲醇中多；CO2與H2均為非極性分子，CO2相對分子質(zhì)量較大，范德華力大。

11.（2018年全國Ⅱ卷）圖（a）為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因?yàn)?S8相對分子質(zhì)量大，分子間范德華力強(qiáng)

12.基態(tài)Co原子的價層電子排布圖為______；金屬Co的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)均高于金屬K的原因?yàn)榻饘貱o的價電子數(shù)比K多，原子半徑比K小，金屬鍵強(qiáng)，熔沸點(diǎn)高。

13.碳酸亞乙酯是某鋰離子電池電解液的添加劑，該物質(zhì)能溶于水，請解釋原因?碳酸亞乙酯可以與水分子形成氫鍵，增大溶解性。

14.金屬鎵(Ga)位于元素周期表中第4周期IIIA族，其鹵化物的熔點(diǎn)如下表：

GaF3

GaCl3

GaBr3

熔點(diǎn)/℃

> 1000

77. 75

122. 3

15.GaF3熔點(diǎn)比GaCl3熔點(diǎn)高很多的原因是?GaF3 是離子晶體，微粒間作用力是離子鍵，GaCl3是分子晶體，微粒間作用力是分子間作用力，離子鍵強(qiáng)度大于分子間作用力，熔點(diǎn)高。

16.氯化鈉的熔點(diǎn)(804℃)低于氟化鈉的熔點(diǎn)(933℃)的主要原因是?F-半徑小于Cl-半徑，NaF晶格能大于NaCl，熔點(diǎn)高?。

17.CoO的熔點(diǎn)高于CoS的原因是?O2-半徑比S2-半徑小，CoO晶格能大于?CoS?，熔點(diǎn)高?。

18.鎳白銅(銅鎳合金)可用于制作仿銀飾品。第二電離能

___>___(填“>”或“<”)

，其原因?yàn)殂~失去的是全充滿的3d10電子，而鎳失去的是4s1電子。

19.（2015·全國卷Ⅱ）O有兩種同素異形體，其中沸點(diǎn)高的是　O3　　?。ㄌ罘肿邮剑?，原因是O3相對分子質(zhì)量較大且是極性分子，范德華力較大。

20.肼（N2H4）的相對分子質(zhì)量與乙烯接近，但沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于乙烯的原因是?肼可以形成氫鍵沸點(diǎn)高?。

21.（2019·全國卷Ⅰ）一些氧化物的熔點(diǎn)如表所示：

氧化物

Li2O

MgO

P4O6

SO2

熔點(diǎn)/°C

1570

2800

23.8

?75.5

解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因?Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體。晶格能：MgO>Li2O。分子間作用力(分子量)：P4O6>SO2

22. （2017·海南卷）SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是SiX4屬于分子晶體，其鹵化物相對分子質(zhì)量質(zhì)量越大，范德華力大，熔沸點(diǎn)高。

23.Fe3+可用 SCN－檢驗(yàn)，其對應(yīng)的酸有兩種，分別為硫氰酸（H-S-C≡N）和異硫氰酸（H-N=C=S），這兩種酸中沸點(diǎn)較高的是異硫氰酸（H-N=C=S），原因是異硫氰酸分子間存在氫鍵，而硫氰酸（H-S-C≡N）分子間不存在氫鍵。

24.比較

與

的沸點(diǎn)高低并分析原因：

的沸點(diǎn)更高；原因

形成分子內(nèi)氫鍵，而

形成分子間氫鍵，分子間氫鍵使分子間作用力增大，物質(zhì)沸點(diǎn)升高；

25.GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是GaF3是離子晶體，而GaCl3是分子晶體，離子鍵比分子間作用力大得多，故GaF3的熔沸點(diǎn)更高；

26.已知常溫下TiCl4為液體，MgCl2的熔沸點(diǎn)比TiCl4高得多，其原因是MgCl2是離子晶體，TiCl4是分子晶體，離子鍵比分子間作用力大得多，故MgCl2的熔沸點(diǎn)比TiCl4高得多。

有關(guān)溶解性原因解釋

27.CuCl難溶于水但易溶于氨水，其原因是?Cu+可與氨水形成易容于水的配合物?。此化合物的氨水溶液遇到空氣則被氧化為深藍(lán)色，深藍(lán)色溶液中陽離子的化學(xué)式為[Cu（NH3）4]2+。

28.（2018年全國Ⅲ卷）ZnF2具有較高的熔點(diǎn)（872 ℃)，其化學(xué)鍵類型是?離子鍵?；ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、Zn

Br2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑，原因是?ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價鍵為主、極性較小 易容于極性溶劑?。

29.尿素[CO(NH2)2]易溶于水，原因尿素與水分子之間可以形成氫鍵?。

30.碳能與氫、氮、氧三種元素組成化合物CO(NH2)2，該物質(zhì)易溶于水的主要原因是CO(NH2)2與水分子之間可以形成氫鍵。

31.HCHO分子中碳原子軌道的雜化類型是　sp2 　，福爾馬林（HCHO的水溶液），HCHO極易與水互溶的主要原因是?HCHO與水分子之間可以形成氫鍵。

32.三乙基鋁溶于苯、二甲苯、汽油等烴類有機(jī)溶劑，原因是三乙基鋁與烴類有機(jī)溶劑都是非極性分子，相似相容。

33.HF和HCl在水中的溶解度HF較大，原因是HF水分子之間可以形成氫鍵增大了溶解性。

34.甘氨酸中N原子的雜化軌道類型為　sp3 ?。桓拾彼嵋兹苡谒?，試從結(jié)構(gòu)角度解釋甘氨酸為極性分子，水也是極性分子相似相容，且可與水分子形成氫鍵增大溶解性。

有關(guān)電離能的原因解釋

35.黃銅是人類最早使用的合金之一，主要由Zn和Cu組成。第一電離能Ⅰ1（Zn）_大于___Ⅰ1（Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是Zn原子核外電子排布為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失電子。

36.（2020年全國Ⅰ卷）Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能(I1)。I1(Li)> I1(Na)，原因是?同主族元素，原子半徑增大，第一電離能減小Na原子半徑比Li原子半徑大，第一電離能減小?。I1(Be)> I1(B)> I1(Li)，原因是?同一周期第一電離能有增大的趨勢，Be原子的s能級是全滿結(jié)構(gòu)，不易失電子?。

37.As與Ge、Se同周期且相鄰，它們的第一電離能由大到小的順序?yàn)?As＞Se＞Ge(用元素符號表示),原因是.同一周期第一電離能有增大的趨勢，As原子的4p能級是半充滿，較穩(wěn)定不易失電子。

38.元素銅與鎳的第二電離能分別為ICu＝1958kJ?mol﹣1、INi＝1753kJ?mol﹣1，ICu＞INi的原因是?銅失去的是全充滿的3d10電子，而鎳失去的是4s1電子。

39

Mn元素價電子的電子排布式為　3d54s2 　，比較兩元素的I2、I3可知，氣態(tài)Mn2+再失去一個電子比氣態(tài)Fe2+再失去一個電子難．對此，你的解釋是：由Mn2+轉(zhuǎn)化為Mn3+時，3d能級由穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài)轉(zhuǎn)化為不穩(wěn)定的3d4狀態(tài)時需要的能量較多；而Fe2+到Fe3+時，3d能級由不穩(wěn)定的3d6到穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài)，需要的能量相對較少。

40.銅的第一電離能為746kJ·mol-1，第二電離能為1958kJ·mol-1。請結(jié)合核外電子排布相關(guān)知識解釋，銅第二電離能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第一電離能的原因是Cu+中的3d軌道處于全充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定。

41.Cu2O比CuO穩(wěn)定，從離子的電子層結(jié)構(gòu)角度分析，其主要原因是Cu2O中Cu＋的外圍電子排布式為3d10，CuO中Cu2＋的外圍電子排布式為3d9，前者達(dá)到全充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。

42.元素鐵與銅的第二電離能分別為：ICu=1958 kJ·mol-1、IFe=1561 kJ·mol-1，ICu＞IFe 的原因是：銅失去 1 個電子后為 3d10，軌道為全充滿，相對較穩(wěn)定，再失去電子較困難；而鐵失去 1個電子后為 3d64s1，再失去電子相對較容易。

43.Fe3+比Fe2+穩(wěn)定的主要原因是：Fe2+的價電子排布式為3d6，而Fe3+的價電子排布式為3d5，軌道為半充滿，相對較穩(wěn)定。

44..N、O兩元素的第一電離能大小關(guān)系為：N＞O，原因是：N的價電子排布式為2S22p3，2p軌道為半充滿，相對較穩(wěn)定，失去第一個電子較困難，而O的價電子排布式為2S22p4。

有關(guān)配合物的原因解釋

45.（2019年全國Ⅰ卷）乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子，其原因是?乙二胺的兩個N提供孤對電子與金屬離子形成配位鍵?。

46.NH3比NF3更易作配體的原因?yàn)?NH3中 N原子更容易提供孤電子對?。

47.Co3＋在水中易被還原成Co2＋，而在氨水中可穩(wěn)定存在，其原因?yàn)?Co3＋可與NH3形成較穩(wěn)定的配合物。

48.HgCl42-比HgI42-更不穩(wěn)定(填“穩(wěn)定”或“不穩(wěn)定”)，因?yàn)镃l的電負(fù)性比I強(qiáng)，給出電子的能力較弱，形成的配位鍵較弱，配合物不穩(wěn)定。

49.某配合物[Cu(NH3)4(H2O)2]SO4加熱時首先失去的組分是?H2O?，判斷理由是H2O與Cu2+形成的配位鍵比NH3與Cu2+形成的配位鍵弱

有關(guān)鍵角的原因解釋

50.H3BO3 分子中的 O—B—O 的鍵角大于(填“大于”“等于”或“小于”) BH4(－)中的 H—B—H 的鍵角，判斷依據(jù)是?H3BO3分子中的B采取sp2雜化，而BH4－中的B采取sp3雜化，sp2雜化形成的鍵角大于sp3雜化。

51.AsH3分子為三角錐形，鍵角為91.80°，小于氨分子鍵角107°，AsH3分子鍵角較小的原因是?砷原子電負(fù)性小于氮原子,其共用電子對離砷核距離較遠(yuǎn)，斥力較小，鍵角較小?。

52.SeO42—中Se—O的鍵角比SeO3的鍵角?小?(填“大”或“小”)，原因是SeO42— 空間構(gòu)型為正四面體，鍵角為109°28′，SeO3空間構(gòu)型為平面正三角形，鍵角為120°。

53.H2O中H—O—H鍵角比H3O+中H—O—H鍵角小，原因是：H2O和H3O+中O原子都是sp3雜化，但H2O分子中O原子上有兩對孤電子對，對成鍵電子排斥力大，而H3O+中O原子上只有一對孤電子對，排斥力小。

有關(guān)化學(xué)鍵的原因解釋

54.(2016年高考新課標(biāo)Ⅰ卷)碳在形成化合物時，其鍵型以共價鍵為主，原因是?C有4個價電子且半徑小,難以通過得或失電子達(dá)到穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)。

55.NH4F、NH4I中，較易分解的是_NH4F_，原因是F原子半徑比I原子小，F(xiàn)-更容易奪取NH4+中的H+，H-F更容易形成。

56.二氧化碳晶體硬度很小，而二氧化硅晶體的硬度很大，其原因是CO2是分子晶體，微粒間作用力是分子間作用力，SiO2是原子晶體，微粒間作用力是共價鍵，比分子間作用力強(qiáng)。

57.MgCO3、CaCO3、SrCO3、BaCO3的熱穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)锽aCO3>SrCO3>CaCO3>MgCO3 ，其原因是碳酸鹽分解的本質(zhì)為CO32-生成CO2和O2-，O2-與金屬陽離子結(jié)合的過程，而MgO晶格能最大最穩(wěn)定，故MgCO3最易分解。

58.已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同，其中Mg2＋和Ni2＋的離子半徑分別為66 pm 和69 pm。則熔點(diǎn)：MgO?>?NiO( 填“>”“<”或“＝”)，理由是?Mg2＋半徑比 Ni2＋小， MgO的晶格能比 NiO大。

有關(guān)酸性的原因解釋

59.HClO4的酸性強(qiáng)于HClO2的原因?yàn)镠ClO4的非羥基氧數(shù)目比HClO2多，導(dǎo)致HClO4更容易電離出H+。

60.H2Se水溶液比H2S水溶液的酸性強(qiáng)，原因是?Se的半徑大于S，H-Se容易斷裂?。

61.S有兩種常見的含氧酸，較高價的酸性比較低價的酸性_強(qiáng)___，理由是?S的正電性越高，導(dǎo)致S—O—H中O的電子向S偏移，因而在水分子的作用下，也就越容易電離出H＋，即酸性越強(qiáng)（或回答非羥基氧數(shù)目）。

62.NaBrO、NaBrO2、NaBrO3、NaBrO4四種鈉鹽中，Br的雜化方式均為___sp3_____雜化，陰離子空間構(gòu)型為三角錐形的是NaBrO3_?(填化學(xué)式)。上述四種鈉鹽對應(yīng)的酸的酸性依次增強(qiáng)，試解釋HBrO4的酸性強(qiáng)于HBrO3的原因NaBrO3 HBrO3 和HBrO4 可分別表示為(HO)BrO2和(HO)BrO3 ，HBrO3 中Br為+5價而HBrO4 中Br為+7價。后者正電性更高，導(dǎo)致H、O之間的電子對向O偏移，更易電離出H+ （或回答非羥基氧數(shù)目）。

63.H2SeO3的K1和K2分別為2.7x l0-3和2.5x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2X10-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋： H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：H2SeO4和H3SeO3可表示為(HO)2SeO2和(HO)3Se，H2SeO4的非羥基氧為2個，而H2SeO3的非羥基氧為1個，非羥基氧數(shù)目越多，酸性越強(qiáng)，所以H2SeO4的酸性比H2SeO3強(qiáng)。

64.Mg、Al的氟化物晶格能分別是2957 kJ·mol-1、5492 kJ·mol-1，二者相差很大的原因是Mg、Al的氟化物均屬于離子晶體，Al3+所帶電荷數(shù)比Mg2+高，并且Al3+半徑小于Mg2+，故Mg的氟化物晶格能大于Al的氟化物。

65.判斷熔點(diǎn)和硬度Mg?Al（“大于”或“小于”），原因是：Mg和Al均為金屬晶體，Mg2+所帶電荷數(shù)小于Al3+，且Mg2+半徑大于Al3+，因此Mg的金屬鍵比Al弱，故Mg的熔點(diǎn)和硬度小于Al。

66.磷化硼(BP)是一種超硬耐磨涂層材料，熔沸點(diǎn)高，屬于原子晶體，硬度比金剛石低的原因：金剛石和磷化硼(BP)均為原子晶體，但C-C鍵比B-P鍵鍵長短，鍵能大，故金剛石的硬度更大。